Подложка InP 2, 3 и 4 дюйма

Отправить запрос

Описание продукта:

Компания Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company поставляет высококачественные пластины фосфида индия (InP) в качестве основного полупроводникового материала, используемого в области телекоммуникаций и микроэлектроники. InP может работать при высоких мощностях и температурах. InP используется в оптоволоконной связи, беспроводной сети (WLAN), мобильных телефонах, связи Blue Tooth, спутниковой связи, монолитных микроволновых интегральных схемах (MMIC), а также в радиочастотных интегральных схемах (RFIC).

Элемент	Единица	Полуизоляционный Технические характеристики	Полупроводниковый Технические характеристики
Тип поведения			(n-тип)		(p-тип)
Метод выращивания кристаллов		ВГФ	ВГФ
легирующая примочка		Фе	С,Сн	Нелегированный		Зн
Диаметр	дюйм	2",3",4"	2", 3 степени, 4"
Ориентация пластины*		(100)±0,5 градуса	(100)±0,5 градуса
ВЫКЛ/ЕСЛИ		США, EJ	США, EJ
Сопротивление (при комнатной температуре)	Ом.см	Больше или равно 0,5×10⁷	-- -- --
Концентрация носителей	см^-3	--	(0.8-8)×10¹⁸	(1-10)×10¹⁵		(0.8-8)×10¹⁸
Мобильность	см²/вс	Больше или равно 1000	1000-2500	3000-5000		50-100
Плотность ямы травления (EPD)	см²	Меньше или равно 5000	Меньше или равно 5000	Меньше или равно 5000		Меньше или равно 500
Лазерная маркировка		По запросу	По запросу
Толщина*	μm	(350-675)±25	(350-675)±25
ТТВ(ПИП)	μm	Меньше или равно 10	Меньше или равно 10
ТТВ(П/Е)	μm	Меньше или равно 15	Меньше или равно 15
Деформация	μm	Меньше или равно 15	Меньше или равно 15
Поверхность	Сторона1	Полированный/травленый	Полированный/травленый
Поверхность	Сторона2	Полированный/травленый	Полированный/травленый
Эпи-готовность		Да	Да
Упаковка		Кассетный или сингл вафельный контейнер	Кассетный или сингл вафельный контейнер

Ориентация и толщина пластины доступны по запросу.

горячая этикетка : Подложка для ввода 2, 3 и 4 дюйма, Китай Подложки для ввода 2, 3 и 4 дюйма производители, поставщики, завод, складывал и запечатлел кремний для цели исследования, кремниевый слиток для перчатки, кремниевый слиток для логической цепи, Повышение производительности ge affer, Пассивация GE Wafer, Обычный кремний для печатных плат