Травленая кремниевая пластина толщиной 76 мм-300 мм (3 дюйма -12")

Когда на кремниевую пластину воздействуют теплом и окислителями, создается слой диоксида кремния (SiO2). Этот процесс известен как термическое окисление. Хотя можно использовать любой газообразный галоген, для создания этого слоя чаще всего используют газообразный водород и/или кислород. В большинстве случаев при термическом выращивании оксидов используется источник тепла для ускорения этой реакции и получения слоев оксида толщиной до 25000Å. Рост диоксида кремния происходит на пластинах в атмосфере окружающего воздуха до толщины около 20 ангстрем.
Хотя термооксидные пластины имеют несколько применений, в основном они используются в устройствах MEMS (микроэлектромеханических системах) и в качестве диэлектрического материала.

Существует два основных метода термического окисления кремниевых пластин, и оба они требуют выделения кислорода на поверхности пластины.
Напротив, при CVD-применении оксидный слой формируется поверх пластины.

Влажные термооксидные пленки обычно используются в ситуациях, когда требуется более толстое покрытие из диоксида кремния.

По сравнению с влажным термооксидом, сухой термооксид дает гораздо более тонкий слой диоксида кремния и требует значительно более длительной процедуры. Из-за этих ограничений толщина сухих слоев диоксида кремния составляет всего 1,000Å.

горячая этикетка : Травленая кремниевая пластина 76 мм -300 мм (3 дюйма -12"), Китай Травленая кремниевая пластина 76 мм -300 мм (3 дюйма -12") производители, поставщики, завод, сапфировая пластина для хранения, складывал и запечатлел кремний для цели исследования, пластина для соединения проводов, сапфировая пластина для систем хранения энергии, пластина для автомобильной электроники, GE Waff для оптоэлектроники